特許

J-GLOBAL ID：200903032057484238

III-V族窒化物半導体の層構造体、その製造方法

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-029899
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324068
出願日： 2003年02月06日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】 高品質のGaN系半導体の結晶成長層を有する層構造体とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の上に、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)から成るバッファ層2を介してGaNのようなIII-V族窒化物半導体の結晶成長層3が形成されているIII-V族窒化物半導体の層構造体Aであり、この層構造体は、基板の上に、温度600〜900°Cで、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)から成るバッファ層を成膜したのち、そのバッファ層の上に、III-V族窒化物半導体から成る結晶成長層を形成して製造される。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に形成されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)から成るバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたIII-V族窒化物半導体の結晶成長層とを有することを特徴とするIII-V族窒化物半導体の層構造体。

Fターム (8件)：

5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-288155   出願人：三洋電機株式会社
• 炭化ケイ素と窒化ガリウムとの間の緩衝構造体及びそれを利用した半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-516809   出願人：クリーリサーチインコーポレテイッド
• 高抵抗GaN結晶層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-058829   出願人：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-292320   出願人：松下電子工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum reactive evaporation
• Influences of temperature ramping rate on GaN buffer layers and subsequent GaN overlayers grown by m