特許
J-GLOBAL ID:200903088137499703
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大田 優
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-258567
公開番号(公開出願番号):特開2001-084043
出願日: 1999年09月13日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】 リップルリジェクション特性の向上と動作電圧の低電圧化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 入力端子1と各内部回路5、6の間に接続され、各内部回路5、6に対して駆動電圧を供給するためのトランジスタQ41と、エミッタに駆動電圧が、ベースに基準電圧が供給され、基準電圧と駆動電圧の大きさに応じて電流を通過させるトランジスタQ44とを有する電源供給回路4aを設ける。トランジスタQ42、Q43、抵抗R5の回路部分により、トランジスタQ44を通過した電流に応じてトランジスタQ41の導通量を制御し、駆動電圧を、およそ基準電圧よりもトランジスタQ44のベース、エミッタ間の順方向電圧の分だけ高い値に設定する。
請求項(抜粋):
外部電源に接続される入力端子と、基準電圧発生回路を含む内部回路と、該内部回路に対して駆動電圧を供給するための第1のトランジスタと、該基準電圧発生回路が出力する基準電圧と該駆動電圧の大きさに応じて電流を通過させる第2のトランジスタとを有し、該駆動電圧を該入力端子に供給された電圧よりも低く、かつ、該基準電圧発生回路が出力する基準電圧よりも高い大きさとする、該入力端子と該内部回路との間に接続された電源供給回路と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
G05F 1/56 310
, H01L 27/04
, H01L 21/822
FI (2件):
G05F 1/56 310 H
, H01L 27/04 B
Fターム (14件):
5F038BB04
, 5F038BB08
, 5F038BG06
, 5F038EZ20
, 5H430BB01
, 5H430BB09
, 5H430BB11
, 5H430EE03
, 5H430EE19
, 5H430FF02
, 5H430FF13
, 5H430GG04
, 5H430HH03
, 5H430HH05
引用特許: