特許
J-GLOBAL ID：200903088152285752
酸化インジウム系ターゲットおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鴨田 朝雄
, 鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-363923
公開番号（公開出願番号）：特開2005-126766
出願日： 2003年10月23日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 割れを生じず、ノジュールの発生もなく、かつ、焼結密度が7.0g/cm3 以上と十分であり、使用初期から使用末期まで、成膜速度の経時変化が少ない酸化インジウム系ターゲットを提供する。【解決手段】 比表面積が5〜15m2/gの酸化インジウム粉末に、比表面積が5〜15m2/gの酸化スズを2〜8質量%となるように添加して混合粉末とし、該混合粉末を微粉化して、造粒および成形を施した後、1300°Cを超え1500°C以下の温度で焼結を行う。前記混合粉末に、比表面積が5〜25m2/gの酸化セリウム粉末を5〜20質量%を添加することが望ましく、さらに、比表面積が5〜60m2 /gの酸化チタンを1質量%以下となるように添加することが望ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
比表面積が5〜15m2 /gの酸化インジウム粉末に、比表面積が5〜15m2 /gの酸化スズ粉末を2〜8質量%となるように添加して混合粉末とし、該混合粉末を微粉化して、造粒および成形を施した後、1300°Cを超え1500°C以下の温度で焼結を行うことを特徴とする酸化インジウム系ターゲットの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/34 A
, C04B35/00 J
4G030AA16
, 4G030AA34
, 4G030AA39
, 4G030BA02
, 4G030BA15
, 4G030GA03
, 4G030GA04
, 4G030GA05
, 4G030GA22
, 4G030GA27
, 4K029BA45
, 4K029DC02
, 4K029DC05
, 4K029DC07
, 4K029DC09
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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