半導体基板の洗浄方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大谷保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202473
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025968
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】半導体基板を製造する工程で、半導体層であるa-Siやポリシリコン等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス、シリコンウェハー、プラスチック等の基板や薄膜回路に使用されるa-Si、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。【解決手段】半導体基板の製造工程において、半導体層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレ-ト剤とを含有する洗浄剤により除去する。洗浄剤中の酸化剤濃度が0.1〜60重量%、洗浄剤中のキレート剤濃度が0.0001〜5重量%であることが好ましい。酸化剤が過酸化水素、キレート剤がホスホン酸キレート剤であると好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体基板の製造工程において、半導体層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレート剤とを含有する洗浄剤により除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 647 , B08B 3/08 , C11D 7/36 , C11D 7/38 , C11D 7/54 , C11D 7/60

FI (6件)：

H01L 21/304 647 Z , B08B 3/08 Z , C11D 7/36 , C11D 7/38 , C11D 7/54 , C11D 7/60

Fターム (20件)：

3B201AA03 , 3B201AB01 , 3B201BB05 , 3B201BB82 , 3B201BB92 , 3B201BB93 , 3B201BB96 , 3B201CB01 , 3B201CC01 , 3B201CC11 , 3B201CC21 , 4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003EB24 , 4H003ED02 , 4H003EE03 , 4H003EE04 , 4H003FA07 , 4H003FA15 , 4H003FA21

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-255108 出願人：日本電気株式会社
基板表面の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336307 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開平3-237007

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