特許

J-GLOBAL ID：200903088172394507

半導体集積回路

発明者： 永光 正知 ,  佐伯 貴範
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-301302
公開番号（公開出願番号）：特開2008-118004
出願日： 2006年11月07日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】十分なLODが確保され、所望のオン電流を有するMOSトランジスタを備えた半導体集積回路を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、半導体基板上の第1の方向に、隣接して配置された複数のスタンダードセルを備える半導体集積回路であって、各々の前記スタンダードセルは、第1の電源101に接続された第1の拡散層103及び第2の電源102に接続された第2の拡散層104を備え、隣接して配置された全ての前記スタンダードセルの第1の拡散層103同士及び第2の拡散層104同士が、全て一体となって形成されているものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の方向に、隣接して配置された複数のスタンダードセルを備える半導体集積回路であって、 各々の前記スタンダードセルは、第1の電源に接続された第1の拡散層及び第2の電源に接続された第2の拡散層を備え、 隣接して配置された前記スタンダードセルの前記第1の拡散層同士及び第2の拡散層同士が、全て一体となって形成されている半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L21/82 B ,  H01L21/82 C ,  H01L27/04 A

Fターム (31件)：

5F038CA04 ,  5F038CA05 ,  5F038CA17 ,  5F038CA18 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA04 ,  5F064BB05 ,  5F064BB07 ,  5F064CC10 ,  5F064CC12 ,  5F064DD02 ,  5F064DD03 ,  5F064DD05 ,  5F064DD09 ,  5F064DD10 ,  5F064DD13 ,  5F064DD19 ,  5F064DD25 ,  5F064EE02 ,  5F064EE05 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064EE36 ,  5F064EE52 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10 ,  5F064HH12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体集積回路のレイアウト構造およびその検証方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-100926   出願人：松下電器産業株式会社
• スタンダードセル、セル列および複合セル列
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-038795   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 標準セル方式集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-000787   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-372168
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-117161   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体集積回路のレイアウト構造およびその検証方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-100926   出願人：松下電器産業株式会社