特許

J-GLOBAL ID：200903088215866076

半導体発光素子

発明者： 谷保 芳孝 ,  嘉数 誠 ,  牧本 俊樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077447
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258257
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】波長200nmから300nmの間の光を高効率で発光する半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、発光層をAlXGaYInZB1-X-Y-ZN層608とし、AlXGaYInZB1-X-Y-ZN層の各組成を0.3≦X≦1、0≦Y≦0.7、0≦Z≦0.15の範囲とし、光取出し方向をAlXGaYInZB1-X-Y-ZN層608の<0001>方位から傾斜させている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

発光層をAlXGaYInZB1-X-Y-ZN層とし、前記AlXGaYInZB1-X-Y-ZN層の各組成を0.3≦X≦1、0≦Y≦0.7、0≦Z≦0.15の範囲とし、光取出し方向を前記AlXGaYInZB1-X-Y-ZN層の<0001>方位から傾斜させたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-046577   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-246001   出願人：日本電信電話株式会社
• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-192721   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-295786   出願人：ソニー株式会社