特許
J-GLOBAL ID:200903077763914362
窒化物半導体素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-246001
公開番号(公開出願番号):特開2006-066556
出願日: 2004年08月25日
公開日(公表日): 2006年03月09日
要約:
【課題】 発光波長200nm付近で発光出力が極めて高い発光素子を提供し、またn型AlNを用いた高出力電子素子を提供すること。【解決手段】 半導体または絶縁体基板上に、アンドープAlN層、n型AlN層、p型AlN層をエピタキシャル成長し、AlNのpn接合を形成する。これにより、欠陥の少ないアンドープAlN層によって電気的特性の優れたn型AlN層、p型AlN層が得られ、発光波長200nm付近において発光出力を大幅に増加できる。また、電子素子に適用した場合は、欠陥の少ないアンドープAlN層により電気伝導性が極めて優れたn型AlN層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
半導体または絶縁体基板上に、アンドープAlN層、n型AlN層の順で積層された構造を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (8件):
H01L 33/00
, H01L 21/28
, H01S 5/323
, H01L 29/872
, H01L 29/47
, H01L 29/812
, H01L 21/338
, H01L 21/027
FI (6件):
H01L33/00 A
, H01L21/28 301B
, H01S5/323
, H01L29/48 D
, H01L29/80 B
, H01L21/30 515B
Fターム (39件):
4M104AA04
, 4M104BB07
, 4M104BB14
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104FF13
, 4M104FF31
, 4M104GG02
, 4M104GG03
, 4M104GG04
, 4M104GG12
, 4M104HH15
, 5F041AA11
, 5F041CA02
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F046CA03
, 5F046CA08
, 5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GN04
, 5F102GR04
, 5F102HC01
, 5F173AH28
, 5F173AH49
, 5F173AJ04
, 5F173AJ10
, 5F173AK08
, 5F173AP05
引用特許: