半導体装置およびその製法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217240
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033433
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】高信頼性と低熱抵抗化を実現した半導体装置の提供にある。【解決手段】リードフレームの一部を垂直に折り曲げ、外部に導出して端子電極を構成し、かつ、主回路部は樹脂層を介してベース板に接着する構造とし、前記リードフレームの端子電極部は素子形成後に立ち上げる加工を施した半導体装置。

請求項（抜粋）：

上下に相対する主面1と主面2を有し、かつ、導体パターンを有する主回路部と、端子電極およびベース板を有する半導体装置において、前記主回路部は、主面1側に配置された前記ベース板上に、フィラーを含む樹脂材料で構成された絶縁層を介して導体パターンが形成され、前記導体パターンは少なくとも1つの立ち上げ部を有し、該立ち上げ部の延長部分に前記端子電極が形成され、該端子電極は主面2から外部に導出され、前記導体パターン上に少なくとも1つのスイッチング用半導体素子が固着されており、前記導体パターンおよび前記端子電極とが同一材料で一体に形成されたリードフレームからなり、前記主回路部が樹脂モールドされており、前記導体パターンの層厚が少なくとも0.5mmであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/50 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/50 K , H01L 25/04 C

Fターム (7件)：

5F067AB10 , 5F067BA04 , 5F067BA08 , 5F067BB08 , 5F067BD01 , 5F067CC07 , 5F067CC09

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-282054 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-360278 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-137048

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