特許
J-GLOBAL ID：200903088301082185

位相シフトマスク及びその製造方法

発明者：
千々松 達夫

千々松 達夫 について

, 
羽入 勇

羽入 勇 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317175
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172044
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ハーフトーン材料を用いた位相シフトマスクの欠陥を低減する【構成】 1)開口部3を有する半透過部材2が透明基板1上に被着されたハーフトーン位相シフトマスクにおいて,該開口部3内の透明基板1が所定の深さにエッチング除去され, 該開口部3と非開口部を透過する露光光の位相差がπになるように前記エッチング深さに応じて半透過部材2の厚さが調節されてなる位相シフトマスク,2)透明基板1上に半透過部材2を被着し,該半透過部材2をパターニングして開口部3を形成する工程と,次いで,該開口部3内の透明基板1を深さ方向に一部エッチング除去する工程とを有し,該開口部3と非開口部を透過する露光光の位相差がπになるように該半透過部材2の厚さと該エッチング深さを調節する位相シフトマスクの製造方法。
請求項（抜粋）：
開口部を有する半透過部材が透明基板上に被着されたハーフトーン位相シフトマスクにおいて,該開口部内の透明基板が所定の深さだけエッチング除去され, 該開口部と非開口部を透過する露光光の位相差がπになるように前記エッチング深さに応じて半透過部材の厚さが調節されてなることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (4件)
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