特許
J-GLOBAL ID：200903088318614563

磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法

発明者：
林 志慶

林 志慶 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-298508
公開番号（公開出願番号）：特開2008-160079
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数の磁区を持つ磁性層を備える磁区壁移動を利用した情報保存装置において、磁性層は、磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とを備えるが、磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とは交互に配置され、磁気異方性エネルギーが小さい領域は、不純物イオンがドーピングされた領域であることを特徴とする情報保存装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の磁区を持つ磁性層を備える磁区壁移動を利用した情報保存装置において、 前記磁性層は、磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とを備えるが、 前記磁気異方性エネルギーの大きい領域と小さい領域とは交互に配置され、 前記磁気異方性エネルギーが小さい領域は、不純物イオンがドーピングされた領域であることを特徴とする情報保存装置。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/14 A ,  H01L43/08 U ,  G11C11/15 110
Fターム (10件)：
4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM