特許

J-GLOBAL ID：200903092090262650

磁気記憶装置とその製造方法

発明者： 梅原 慎二郎 ,  芦田 裕 ,  落合 隆夫 ,  指宿 隆弘 ,  佐藤 雅重
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151180
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324269
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】 新規な磁壁ピニング構造を有する磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 磁気記憶装置は、多数の磁区形成領域が磁壁形成領域によって分離された磁性材料細線を有する磁気記憶装置であって、前記磁区形成領域と前記磁壁形成領域とは異なる磁気的物性を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

多数の磁区形成領域が磁壁形成領域によって分離された磁性材料細線を有する磁気記憶装置であって、 前記磁区形成領域と前記磁壁形成領域とは異なる磁気的物性を有する磁気記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z

Fターム (30件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD22 ,  4M119DD33 ,  4M119DD48 ,  4M119FF16 ,  5F092AA12 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB17 ,  5F092BB31 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092EA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367280   出願人：株式会社東芝
• 磁気ランダムアクセスメモリ装置および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-104074   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182730   出願人：日本ビクター株式会社
• 米国特許第6,834,005号公報
  

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-383924   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-275471
  
• 磁気メモリ、情報記録/再生方法、情報再生方法、情報記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-315485   出願人：シャープ株式会社