特許

J-GLOBAL ID：200903088331690945

イオン注入装置および処理室

発明者： 中野 安紀 ,  米良 和夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-384574
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184345
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、ウエハへの注入を均一に行うと共に、ウエハにパーティクルが発生するのを防ぐことにある。【解決手段】本発明では、イオン源から引出したイオンビームが注入される真空容器の内部に、回転ディスクを設け、該回転ディスク上に少なくとも一個以上ウエハホルダを配置し、該ウエハホルダ上に導電性のウエハ保持部を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

イオン源と、該イオン源から引出したイオンビームが注入される真空容器と、該真空容器の内部に設けた回転ディスクと、該回転ディスク上に少なくとも一個以上配置したウエハホルダと、該ウエハホルダ上に導電性のウエハ保持部を備えたイオン注入装置。

IPC (5件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 603 ,  H01L 27/12

FI (6件)：

H01J 37/317 B ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 603 D ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 N

Fターム (4件)：

4K029AA06 ,  4K029CA10 ,  4K029JA02 ,  5C034CC09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-359348   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-079733   出願人：株式会社日立製作所
• イオン注入装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-173286   出願人：株式会社日立製作所