特許
J-GLOBAL ID:200903088353842498

保護膜形成用材料、積層体およびレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-003807
公開番号(公開出願番号):特開2006-194962
出願日: 2005年01月11日
公開日(公表日): 2006年07月27日
要約:
【課題】 物質遮断性に優れた保護膜を形成することができる保護膜形成用材料、該保護膜形成用材料を用いた積層体およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 アクリル酸から誘導され、かつ環式構造を有しない構成単位であって、側鎖にアルコール性水酸基を有する構成単位(a0-1)と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位(a1)とを含むアルカリ可溶性樹脂(A1)を有機溶剤に溶解してなる、レジスト層用のアルカリ現像液で除去可能な保護膜形成用材料。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
アクリル酸から誘導され、かつ環式構造を有しない構成単位であって、側鎖にアルコール性水酸基を有する構成単位(a0-1)と、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位(a1)とを含むアルカリ可溶性樹脂(A1)を有機溶剤に溶解してなる、レジスト層用のアルカリ現像液で除去可能な保護膜形成用材料。
IPC (3件):
G03F 7/11 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F7/11 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 575
Fターム (14件):
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  5F046JA22
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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