特許
J-GLOBAL ID：200903088387789537
受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
武石 靖彦
, 村田 紀子
, 徳岡 修二
, 重本 博充
, 大角 菜穂子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-314292
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123588
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】受光面積を最大限に取ることが可能であり、しかも、従来よりもS/N比その他の諸特性が良好な半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子1であって、結晶基板2と、その上方に少なくとも1層形成されたn型のIII族窒化物半導体層4と、その上に形成され、上記結晶基板表面の一部を被覆する、任意のパターンの導電性材料からなる埋込電極3と、上記埋込電極3、及び前記埋込電極で被覆されていない上記n型のIII族窒化物半導体層4の露出部を被覆する、絶縁性のIII族窒化物材料からなる光感受層5と、受光面5aとなる上記光感受層5の一方側の面に備え設けられた、上記埋込電極3と対になって受光素子1を構成するショットキー電極6と、からなる受光素子1とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体受光素子であって、
結晶基板と、
前記結晶基板の上方に少なくとも1層形成された、n型のIII族窒化物半導体層と、
前記n型のIII族窒化物半導体層上に形成され、前記結晶基板表面の一部を被覆する、任意のパターンの導電性材料からなる埋込電極と、
前記埋込電極、及び前記埋込電極で被覆されていない前記n型のIII族窒化物半導体層の露出部を被覆する、絶縁性のIII族窒化物材料からなる光感受層と、
受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、前記埋込電極と対になって受光素子を構成するショットキー電極と、
からなることを特徴とする受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F049MA05
, 5F049MB07
, 5F049NA04
, 5F049QA18
, 5F049SE02
, 5F049SE20
, 5F049SS01
, 5F049SS03
, 5F049WA05
