特許
J-GLOBAL ID：200903088387789537

受光素子

発明者：
山口 栄一

山口 栄一 について


出願人/特許権者：
学校法人同志社

学校法人同志社 について

, 
ALGAN株式会社

ALGAN株式会社 について


代理人 (5件)： 武石 靖彦 ,  村田 紀子 ,  徳岡 修二 ,  重本 博充 ,  大角 菜穂子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-314292
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123588
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】受光面積を最大限に取ることが可能であり、しかも、従来よりもS/N比その他の諸特性が良好な半導体受光素子を提供する。【解決手段】半導体受光素子1であって、結晶基板2と、その上方に少なくとも1層形成されたn型のIII族窒化物半導体層4と、その上に形成され、上記結晶基板表面の一部を被覆する、任意のパターンの導電性材料からなる埋込電極3と、上記埋込電極3、及び前記埋込電極で被覆されていない上記n型のIII族窒化物半導体層4の露出部を被覆する、絶縁性のIII族窒化物材料からなる光感受層5と、受光面5aとなる上記光感受層5の一方側の面に備え設けられた、上記埋込電極3と対になって受光素子1を構成するショットキー電極6と、からなる受光素子1とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体受光素子であって、 結晶基板と、 前記結晶基板の上方に少なくとも1層形成された、n型のIII族窒化物半導体層と、 前記n型のIII族窒化物半導体層上に形成され、前記結晶基板表面の一部を被覆する、任意のパターンの導電性材料からなる埋込電極と、 前記埋込電極、及び前記埋込電極で被覆されていない前記n型のIII族窒化物半導体層の露出部を被覆する、絶縁性のIII族窒化物材料からなる光感受層と、 受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、前記埋込電極と対になって受光素子を構成するショットキー電極と、 からなることを特徴とする受光素子。
IPC (1件)：
H01L 31/108
FI (1件)：
H01L31/10 C
Fターム (9件)：
5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA04 ,  5F049QA18 ,  5F049SE02 ,  5F049SE20 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049WA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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