3-5族化合物半導体およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033292
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135828
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、SIT等のデバイスを作製可能にする。【解決手段】(1)一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される第1の3-5族化合物半導体と、(2)これに接して該第1の3-5族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、(3)該導電性材料で被覆されてない該第1の3-5族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料に接して両者を被覆する一般式InuGavAlwN(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表される第2の3-5族化合物半導体と、からなる3-5族化合物半導体。

請求項（抜粋）：

(1)一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される第1の3-5族化合物半導体と、(2)これに接して該第1の3-5族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、(3)該導電性材料で被覆されてない該第1の3-5族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式InuGavAlwN(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表される第2の3-5族化合物半導体と、からなることを特徴とする3-5族化合物半導体。

IPC (3件)：

H01L 29/80 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 29/80 V

Fターム (32件)：

5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD15 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045DA53 , 5F045HA16 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GS07 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-039872
特開昭63-096966

引用文献：

審査官引用 (2件)

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