特許

J-GLOBAL ID：200903088396726262

抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ

発明者： オ スファン ,  パク ムンホ ,  イ ジミョン ,  キム ギス ,  イ チョルウク ,  ゴ ヒョンソン ,  パク サンギ ,  ジョン ヨンチョル ,  キム スヒョン
出願人/特許権者： 韓國電子通信研究院
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-435891
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336002
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】 比較的単純な構造を有し、製作及び量産に有利であるうえ、光帯域波長可変が可能で出力光効率に優れた、抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザを提供する。【解決手段】 光波を生成し、第1周期の抽出格子が形成された利得領域及び位相制御領域を備えるSG-DFB構造部と、該SG-DFB構造部と共に集積されて形成され、第2周期の抽出格子が形成されたSG-DBR領域を備えるSG-DBR構造部と、前記SG-DFB構造部及び前記SG-DBR構造部の各端面に形成された無反射薄膜とを含んでなるが、前記位相制御領域及び/又は前記SG-DBR領域の屈折率の変化に応じて、発振する波長が可変するように構成される。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

光波を生成し、第1周期の抽出格子が形成された利得領域及び位相制御領域を備えるSG-DFB構造部と、 前記SG-DFB構造部と共に集積されて形成され、第2周期の抽出格子が形成されたSG-DBR領域を備えるSG-DBR構造部と、 前記SG-DFB構造部及び前記SG-DBR構造部の各端面に形成された無反射薄膜とを含んでなるが、 前記位相制御領域及び/又は前記SG-DBR領域の屈折率の変化に応じて、発振する波長が可変するように構成されたことを特徴とする波長可変半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S5/12 ,  G02B5/18 ,  H01S5/125

FI (3件)：

H01S5/12 ,  G02B5/18 ,  H01S5/125

Fターム (11件)：

2H049AA50 ,  2H049AA59 ,  2H049AA62 ,  2H049AA66 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA67 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073EA15 ,  5F073EA29

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第4,896,325号明細書
  
• 米国特許第5,325,392号明細書
  
• 分布反射型偏波変調半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-159949   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-061681   出願人：日本電信電話株式会社
• 波長可変半導体レーザおよび光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203453   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-319986