中性ビーム発生装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175709
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012293
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】より多くの中性粒子を生成できるようにする。【解決手段】真空排気され、ガスが導入された状態で、第1および第2の磁場発生コイル103,104に、同じ方向の同じ大きさの電流を流すことにより、プラズマ生成室102内のそれら第1および第2の磁場発生コイル103,104の中間の位置に、磁界の強度が0となる磁気中性面が形成される。さらに、第3の磁場発生コイル105に、第1および第2の磁場発生コイル103,104とは逆向きの電流を流して磁場を発生させると、磁界の強度が0となる所がプラズマ生成室102内とその外との二箇所に分離される。

請求項（抜粋）：

真空容器を形成して真空排気手段により内部が真空排気されるチャンバーおよびこの上に連通して配置されたプラズマ生成室と、このプラズマ生成室の中心軸で対向して前記プラズマ生成室の上部外側に配置されて前記プラズマ生成室内上下方向に磁場を発生させる第1の磁場発生手段と、前記プラズマ生成室の中心軸で対向して前記プラズマ生成室の下部外側の前記第1の磁場発生手段下に配置されて前記プラズマ生成室内に前記第1の磁場発生手段と同一方向の磁場を発生させる第2の磁場発生手段と、前記プラズマ生成室の中心軸で対向して前記プラズマ生成室外側の前記第1および第2の磁場発生手段の中央部に配置されて前記プラズマ生成室内に前記第1および第2の磁場発生手段とは反対の方向の磁場を発生させる第3の磁場発生手段と、前記第3の磁場発生手段の内側に配置されて前記プラズマ生成室内に電場を発生させる電場発生用電極と、前記プラズマ生成室内の上部に配置され、負電圧が印加されて電子を反射する電子遮蔽電極と、前記プラズマ生成室と前記チャンバーとの間に配置され、負電圧が印加されて前記プラズマ生成室より前記チャンバー内にイオンを引き出すイオン引き出し電極と、前記プラズマ生成室内にガスを導入する第1のガス導入口と、前記チャンバー内の前記イオン引き出し電極下部にガスを導入する第2のガス導入口と、前記チャンバー内底部に前記イオン引き出し電極に対向配置されて処理対象の基板が配置される基板ステージとを備え、前記第1,第2,および,第3の磁場発生手段により、前記プラズマ生成室内の中央部に所定の領域を囲うように磁場強度が零となる磁気中性面が形成されることを特徴とする中性ビーム発生装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 , H01L 21/205 , H01L 21/302

FI (4件)：

H05H 1/46 C , H05H 1/46 L , H01L 21/205 , H01L 21/302 Z

Fターム (13件)：

5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB12 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F045AA08 , 5F045DQ11 , 5F045EB02 , 5F045EH01 , 5F045EH06 , 5F045EH16 , 5F045EH17 , 5F045EH20

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-180621
特開平4-180621
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-249304 出願人：日本電信電話株式会社, 日本真空技術株式会社

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