特許
J-GLOBAL ID：200903088580930417

成膜方法、成膜装置、および記憶媒体

発明者：
岡田 充弘

岡田 充弘 について

, 
久保 万身

久保 万身 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-192914
公開番号（公開出願番号）：特開2009-032766
出願日： 2007年07月25日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】カーボン膜とSi系無機膜とを効率的にかつ生産性高く低コストで成膜することができ、しかもカーボン膜の膜質劣化が生じ難い成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理体に対してアモルファスカーボン膜を成膜し、その上にSi系無機膜を成膜するに当たり、複数枚の被処理体を処理容器内に収容して成膜処理するバッチ式の成膜装置を用い、処理容器内を減圧状態に保持してCVDにより被処理体にカーボン膜を成膜し、引き続き同じ成膜装置により減圧状態を維持したままCVDにより被処理体のカーボン膜の上にSi系無機膜を成膜する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
被処理体に対してカーボン膜を成膜し、その上にSi系無機膜を成膜する成膜方法であって、 複数枚の被処理体を処理容器内に収容して成膜処理するバッチ式の成膜装置を用い、処理容器内を減圧状態に保持してCVDにより被処理体にカーボン膜を成膜し、引き続き同じ成膜装置により減圧状態を維持したままCVDにより被処理体のカーボン膜の上にSi系無機膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/54 ,  H01L21/302 105A
Fターム (30件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA44 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F004EA02 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB07 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD10 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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