特許
J-GLOBAL ID：200903088613241728
光起電力素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-034660
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233803
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 短絡光電流、開放電圧を改善しながら、光劣化を小さくして、光起電力素子の変換効率を向上するとともに、その生産性の向上する。【解決手段】 微結晶シリコンをi型半導体層とするpin構造の光起電力素子において、結晶化率と水素含有量を層厚方向に変化させる。
請求項（抜粋）：
p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とが積層されたpin構造の半導体層を有し、i型半導体層が非単結晶シリコンからなる光起電力素子において、該i型半導体層内の非単結晶シリコンの結晶化率と水素含有量とが、層厚方向に変化していることを特徴とする光起電力素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 B
, H01L 21/205
, H01L 31/04 V
