特許
J-GLOBAL ID:200903088715193230
ケイ素化ルテニウム拡散バリアー層及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-568108
公開番号(公開出願番号):特表2002-524847
出願日: 1999年08月10日
公開日(公表日): 2002年08月06日
要約:
【要約】表面(12)を有する基材アセンブリ(11)を提供することを含む、集積回路製造で使用する方法。表面(12)の少なくとも一部の上に、拡散バリアー層(13)を作る。この拡散バリアー層(13)は、RuSix(xは約0.01〜約10)でできている。このバリアー層は、化学気相堆積によるRuSixの堆積によって作ること、又はケイ素含有領域に関してルテニウム層を作り、焼きなまし処理を行って、このルテニウム層及びケイ素含有領域からRuSix層を作ることによって得ることができる。キャパシター電極、相互接続、又は他の構造体を、そのような拡散バリアー層で作ることができる。
請求項(抜粋):
表面を有する基材アセンブリを提供し、 前記表面の少なくとも一部の上に、RuSix(xは約0.01〜約10)でできている拡散バリアー層を形成する、ことを含む、集積回路の製造で使用する方法。
IPC (8件):
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
, H01L 21/8242
, H01L 21/8244
, H01L 27/105
, H01L 27/108
, H01L 27/11
FI (8件):
H01L 21/28 301 S
, H01L 21/88 Q
, H01L 21/90 C
, H01L 27/10 381
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 651
Fターム (61件):
4M104AA01
, 4M104BB19
, 4M104CC01
, 4M104DD07
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD45
, 4M104DD78
, 4M104DD79
, 4M104EE08
, 4M104EE09
, 4M104FF13
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG16
, 4M104GG19
, 4M104HH05
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH20
, 5F033HH21
, 5F033HH25
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033MM13
, 5F033PP02
, 5F033PP03
, 5F033PP04
, 5F033PP06
, 5F033PP09
, 5F033PP12
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ48
, 5F033QQ73
, 5F033RR03
, 5F033VV10
, 5F033VV16
, 5F033WW00
, 5F033WW02
, 5F033WW03
, 5F033XX28
, 5F083AD31
, 5F083GA25
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA03
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR21
, 5F083PR33
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開平3-257857
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特開平3-087055
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特開平3-087055
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