特許
J-GLOBAL ID：200903088775808969

メモリ装置、欠陥セル救済方法及び内部電圧トリミング方法

発明者：
▲黄▼相元

▲黄▼相元 について

, 
尹童奎

尹童奎 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-193182
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035245
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】フラッシュメモリ装置のリペア及びトリミング方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明はフラッシュメモリ装置に係り、非揮発性メモリセルアレイ、前記非揮発性メモリセルアレイに貯蔵された第1フューズデータをエラー訂正して、第2フューズデータで出力するエラー訂正回路と、前記第2フューズデータが貯蔵されるフューズレジスタを含む。本発明によると、フューズデータをセルアレイに反復的にプログラムし、エラー訂正演算を実行して欠陥セルの救済と内部電圧のトリミングに信頼性を改善することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリセルアレイと 前記不揮発性メモリセルアレイに貯蔵された第1フューズデータをエラー訂正して第2フューズデータで出力するエラー訂正回路と、 前記第2フューズデータが貯蔵されるフューズレジスタとを含むことを特徴とするメモリ装置。
IPC (3件)：
G11C 29/42 ,  G11C 29/04 ,  G11C 16/06
FI (3件)：
G11C29/00 631D ,  G11C29/00 603J ,  G11C17/00 639A
Fターム (11件)：
5B125BA01 ,  5B125CA14 ,  5B125DE08 ,  5B125DE09 ,  5B125EA10 ,  5B125EG08 ,  5B125FA01 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12 ,  5L106CC07 ,  5L106CC17
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM