特許
J-GLOBAL ID：200903088807652796
窒化物半導体の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-245134
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059835
出願日： 2001年08月13日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 結晶状態の良好な窒化物半導体を、結晶性の窒化物半導体基板上に成長させることが可能な窒化物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 結晶性の窒化物半導体基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、基板を昇温させると共に、当該基板が1200°Cを越える前に当該基板表面への原料ガスの供給を開始することで当該基板上への窒化物半導体の成長を開始させる。この際、基板が300°Cに達した以降に当該基板上への窒化物半導体の成長を開始させる。また、窒素原料ガスの供給を開始した以降でかつ前記基板が1200°Cを越える前に、窒素原料ガス以外の他の原料ガスの供給を開始することで当該基板上への窒化物半導体の成長を開始させる。
請求項（抜粋）：
結晶性の窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、前記基板を加熱すると共に、当該基板が1200°Cを越える前に当該基板表面への原料ガスの供給を開始することで当該基板上への窒化物半導体の成長を開始させることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
Fターム (16件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD15
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA67
, 5F045DP07
, 5F045EB13
, 5F045EE18
, 5F045GB05
