特許
J-GLOBAL ID：200903074594309137

シリコン基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法

発明者：
仁木 栄

仁木 栄 について

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岩田 拡也

岩田 拡也 について

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ポール・フォンス

ポール・フォンス について

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田辺 哲弘

田辺 哲弘 について

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高須 秀視

高須 秀視 について


出願人/特許権者：
工業技術院長

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ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 河村 洌 (外1名) ,  河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211222
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044499
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 ZnO系化合物半導体を用い、チップの上下両面から電極を取り出すことができる垂直型で、かつ、半導体層の結晶性が優れて発光効率が高いと共に、基板にサファイア基板を用いないで製造プロセスおよび使用面で便利な半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の表面にシリコンチッ化膜2が設けられており、そのシリコンチッ化膜2上にZnO系化合物半導体からなるn形層3、4およびp形層6、7を少なくとも有し、発光層を形成するように半導体積層部11が積層されている。このシリコンチッ化膜2はアンモニアガスなどのチッ素が存在する雰囲気下で熱処理をすることにより形成することが好ましい。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、該シリコン基板の表面に設けられるシリコンチッ化膜と、該シリコンチッ化膜上に設けられ、ZnO系化合物半導体からなるn形層およびp形層を少なくとも有し、発光層を形成すべく積層される半導体積層部とを含むシリコン基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/327
FI (2件)：
H01L 33/00 D ,  H01S 3/18 674
Fターム (38件)：
5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041AA42 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA06 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB02 ,  5F041CB03 ,  5F041DA07 ,  5F041FF13 ,  5F041FF16 ,  5F073AA04 ,  5F073AA07 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073BA07 ,  5F073CA22 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA21 ,  5F073DA32 ,  5F073EA07 ,  5F073FA27
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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