特許
J-GLOBAL ID：200903088825747370

モジュール型熱電対及び積層体

発明者：
スティーブ・フィハー

スティーブ・フィハー について


出願人/特許権者：
スティーブ・フィハー

スティーブ・フィハー について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  田中 英夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-586943
公開番号（公開出願番号）：特表2005-523589
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
熱電半導体対又はモジュール10において、ペルティエ特性を有する複数の半導体ペレット14、18は、熱伝達手段12、16、20と機械的に相互接続されて電気的直列回路に配列される。相互接続は全て直接行われる。手段12、16、20は、L字状断面又はU字状断面を有するプレート状構造である。モジュールの隣接する線又は平面がエンド・セグメント・コネクタ32によって電気的に連結された状態で、多数のモジュール10が2次元又は3次元積層体30に配列される。1つのバージョンにおいては、モジュール平面の一方の側は熱交換フィン44〜50を有するが、他の側はセラミック・セグメント58が堆積した導体56に電気的に接続される。別のバージョンにおいては、モジュールは回転円板94、96上に取り付けられ、熱効率のために円板を移動する流体インペラとして働く。
請求項（抜粋）：
複数のp型熱電半導体材料と、 複数のn型熱電半導体材料と、 良好な電気及び熱伝導材料で構成され、第1、第2及び第3の一体型の熱伝達構造と、 前記第1の熱伝達構造を前記複数のp型半導体材料に直接接触させ且つ電気的に接続する第1の手段と、 前記複数のp型材料を前記第2の熱伝達構造に直接接触させ且つ電気的に接続する第2の手段と、 前記量のn型材料を前記第2の熱伝達構造に直接接触させ、電気的に接続する第3の手段と、 前記複数のn型材料を前記第3の熱伝達構造に直接接触させ且つ電気的に接続する第4の手段と、 を具備する熱電対。
IPC (4件)：
H01L35/30 ,  H01L23/38 ,  H01L35/32 ,  H02N11/00
FI (4件)：
H01L35/30 ,  H01L23/38 ,  H01L35/32 ,  H02N11/00 A
Fターム (2件)：
5F036AA01 ,  5F036BA33
引用特許：
審査官引用 (6件)
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