特許
J-GLOBAL ID：200903088889925272
半導体集積回路装置およびその情報記憶方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321129
公開番号（公開出願番号）：特開2005-092915
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】高い情報機密性を持ちつつも、メモリ容量を効率良く確保することが可能な半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】セルアレイを制御する周辺回路4と、メモリセルを1個使用して1ビットを記憶する第1の動作モード、及び前記半導体メモリセルを2個使用して1ビットを記憶する第2の動作モードのいずれかを判定し、前記セルアレイを前記第1、第2の動作モードのいずれで動作させるかの動作情報を、周辺回路4に与える動作情報判定回路3とを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを有するセルアレイと、
前記セルアレイを制御する周辺回路と、
前記メモリセルを1個使用して1ビットを記憶する第1の動作モード、及び前記半導体メモリセルを2個使用して1ビットを記憶する第2の動作モードのいずれかを判定し、前記セルアレイを前記第1、第2の動作モードのいずれで動作させるかの動作情報を、前記周辺回路に与える動作情報判定回路と
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C11/22 501D
, G11C11/22 501A
