特許
J-GLOBAL ID：200903088909871824
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253726
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091303
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体装置の製造方法に関し、InP基板上のInP系化合物半導体積層体をドライ・エッチングしてメサを形成し、そのメサをInPを含む化合物半導体層で埋め込む際、成長前処理で用いるエッチャントを適切に選択してメサ側面形状を損なわずにドライ・エッチング・ダメージ層を除去する。【解決手段】 面指数(001)のn-InP基板1上にn-InPクラッド層2とp-InPクラッド層4とで挟まれたInGaAsP系MQW活性層3を含んだ積層構造を形成し、ドライ・エッチング法を適用して前記積層構造をメサ形状にエッチングし、塩酸と酢酸と過酸化水素を含む酸溶液を用いてメサ側面を含む基板1の表面をエッチングし、メサを埋め込むp-InPブロック層7とn-InPブロック層8を形成する。
請求項（抜粋）：
面指数が(001)であるInP基板上に少なくともInP層で挟まれたInGaAsP或いはAlInGaAsを材料とする化合物半導体層を含んだ積層構造を形成する工程と、次いで、ドライ・エッチング法を適用することに依って前記積層構造をメサ形状にエッチングする工程と、次いで、少なくとも塩酸と酢酸と過酸化水素を含む酸溶液を用いて前記メサ側面を含む基板表面をエッチングする工程と、次いで、前記メサを埋め込む化合物半導体層を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/3065
, H01S 5/227
H01L 21/306 B
, H01S 3/18 665
, H01L 21/302 N
5F004AA06
, 5F004BA11
, 5F004DA00
, 5F004DB19
, 5F004DB20
, 5F004DB22
, 5F004EA06
, 5F004EB08
, 5F004FA08
, 5F043AA04
, 5F043AA16
, 5F043AA20
, 5F043BB06
, 5F043DD04
, 5F043FF05
, 5F073AA22
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073CA15
, 5F073DA22
, 5F073DA24
