特許
J-GLOBAL ID：200903088933148513

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者：
小林 俊雅

小林 俊雅 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-133938
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332697
出願日： 2002年05月09日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 発光波長λが例えばλ≧450nmの青色・緑色帯の高品質窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子10は、発光波長が500nm程度(緑色帯)のAlGaInN系端面発光型半導体レーザ素子であって、サファイア基板12と、サファイア基板12上に形成されたGaInN-ELO構造層14と、GaInN-ELO構造層14上に、順次、MOCVD法により成長させたn-GaInNコンタクト層16、n-AlGaInNクラッド層18、n-GaN光ガイド層20、GaInN活性層22、p-GaN光ガイド層24、p-(GaN:Mg/AlGaInN)クラッド層26、及びp-GaInNコンタクト層28からなる積層構造とを備えている。横方向選択成長ELO構造層は、サファイア基板12上に、ストライプ状リッジとして設けられたGax In1-x N種結晶部14aと、Gax In1-x N種結晶部14aから横方向成長法により成長させたGax In1-x N横方向成長層14bとから構成されているGaInN-ELO構造層14である。
請求項（抜粋）：
種結晶部及び横方向成長層からなる横方向選択成長ELO(Epitaxially Laterally Overgrowth)構造層を介して基板上に、発光層としてGaInN層を有する窒化物半導体積層構造を備えた窒化物半導体素子において、横方向成長層が、Al<SB>a </SB>Ga<SB>b </SB>In<SB>c </SB>N(a+b+c=1、0≦a<1、0<b<1、0<c<1)からなる窒化物系化合物半導体で形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 5/343 610 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22
FI (4件)：
H01S 5/343 610 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22
Fターム (30件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045CA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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