特許
J-GLOBAL ID：200903012788728348
窒化物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131618
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219909
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【目的】 基板となり得るような結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法を提供すると共に、信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供する。【構成】 異種基板の上に成長された第1の窒化物半導体層の上に部分的に保護膜を形成し、その保護膜の上に、第1の窒化物半導体層よりも結晶欠陥が少ない第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の成長方法において、前記第1の窒化物半導体層と保護膜との間に保護膜に接して、あるいは第2の窒化物半導体層成長中に、Inを含む窒化物半導体層を形成することにより結晶欠陥の転位を止める。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に成長された第1の窒化物半導体層の上に部分的に保護膜を形成し、その保護膜の上に、第1の窒化物半導体層よりも結晶欠陥が少ない第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の成長方法において、前記第1の窒化物半導体層と保護膜との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる第3の窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
