超微細加工方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-094579
公開番号（公開出願番号）：特開平10-274700
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】ガラスや水晶、ダイヤモンド等の絶縁物基板に代表寸法がnmオーダーの超微細な加工を施すことを可能にする。【解決手段】被加工物21に代表寸法が1乃至500nmの超微細なパターン膜を形成する工程と、高速原子線源32により、高速原子線源32の原子線放出口49の直径φに対する原子線放出口の長さlの比を5以上としてフッ素系のガスを用いてビームエネルギー5keV以下の高速原子線24を生成する工程と、パターン膜を塗布した被加工物を真空容器33内に置いて真空容器の圧力を1×10-4Torr乃至5×10-3Torrとして高速原子線50を照射し、被加工物に代表寸法が1乃至500nmの超微細なパターンを転写する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

ガス導入口と、放電電極と、放電容器とを有する高速原子線源により生成する高速原子線を用いて真空容器内において高速原子線を絶縁物である被加工物に照射して加工を行なう超微細加工方法において、前記被加工物に代表寸法が1乃至500nmの超微細なパターン膜を形成する工程と、前記高速原子線源により、高速原子線源の原子線放出口の直径φに対する原子線放出口の長さlの比を5以上としてフッ素系のガスを用いてビームエネルギー5keV以下の高速原子線を生成する工程と、前記パターン膜を塗布した被加工物を真空容器内に置いて真空容器の圧力を1×10-4Torr乃至5×10-3Torrとして前記高速原子線を照射し、該被加工物に代表寸法が1乃至500nmの超微細なパターンを転写する工程とを有することを特徴とする超微細加工方法。

IPC (4件)：

G21K 5/04 , H01L 21/302 , H01L 21/461 , H05H 3/02

FI (4件)：

G21K 5/04 A , H01L 21/461 , H05H 3/02 , H01L 21/302 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

超微細加工法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-043214 出願人：株式会社荏原製作所
エネルギービーム源
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196093 出願人：株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎
エッチング装置及びエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-030550 出願人：富士通株式会社

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