特許
J-GLOBAL ID：200903088979887965

セラミック電子部品およびその製造方法

発明者：
眞田 幸雄

眞田 幸雄 について

, 
斉藤 芳則

斉藤 芳則 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086616
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289465
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 セラミック素体にめっきが侵入していないセラミック電子部品と、簡単にそのようなセラミック電子部品を製造することができるセラミック電子部品の製造方法を得る。【解決手段】 セラミック電子部品10は、セラミック素体12を含み、その両端面に端子電極14a,14bが形成される。端子電極14a,14bは、焼き付けられた外部電極16a,16bと、その上に形成されためっき皮膜18a,18bとを含む。このセラミック電子部品10を形成するために、外部電極16a,16bを有するセラミック素体12を撥水処理剤に浸漬・乾燥し、めっき処理を施す。撥水処理剤は、Ra-(CH2 )-Si-(O-Rb)3 で表され、Rbに相当する官能基の少なくとも1つが加水分解することによって水酸基に置換される。
請求項（抜粋）：
セラミック素体と、前記セラミック素体の端面に形成される外部電極と、前記外部電極上に形成されるめっき皮膜とを含むセラミック電子部品の製造方法であって、撥水処理剤によって前記セラミック素体に形成された前記外部電極に撥水処理を施すことによりめっき液侵入防止皮膜を形成する工程、および前記外部電極上にめっき処理を施す工程を含み、前記撥水処理剤は、Ra-(CH2 )-Si-(O-Rb)3 で表される式において、Raが疎水性を有する官能基であり、Rbに相当する官能基の少なくとも1つを加水分解することによって水酸基に置換したことを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
IPC (3件)：
H01G 4/30 311 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 13/00 391
FI (3件)：
H01G 4/30 311 E ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 13/00 391 B
Fターム (16件)：
5E001AB03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC19 ,  5E082FG26 ,  5E082GG10 ,  5E082GG26 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ15 ,  5E082JJ23 ,  5E082MM24
引用特許：
出願人引用 (5件)
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