水蒸気酸化方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 磯山弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-184456
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019801
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】リアクタに収容された被酸化体の水蒸気酸化に際し、良好な制御性及び再現性で被酸化体を水蒸気酸化する、水蒸気酸化方法を提供する。【解決手段】半導体基板(被酸化体)44を収容したリアクタ42にN2ガスを供給して、リアクタ42内をN2ガスで置換する。次に、N2ガスの供給を停止し、N2ガスに水蒸気を同伴させた水蒸気同伴N2ガスをリアクタ42に供給する。次いで、水蒸気同伴N2ガスをリアクタ42に供給しつつ、半導体基板44を450°C(水蒸気酸化温度)まで昇温する。続いて、半導体基板44を450°Cで所定時間保持する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

リアクタ中に被酸化体を収容し、前記被酸化体を水蒸気酸化する水蒸気酸化方法において、前記被酸化体を収容したリアクタに不活性ガスを供給して、前記リアクタ内を不活性ガスで置換するステップと、前記不活性ガスの供給を停止し、不活性ガスに水蒸気を同伴させた水蒸気同伴不活性ガスを前記リアクタに供給するステップと、水蒸気同伴不活性ガスを供給しつつ、前記被酸化体を水蒸気酸化温度まで昇温するステップと、次いで、前記被酸化体を前記水蒸気酸化温度で所定時間保持するステップとを有することを特徴とする水蒸気酸化方法。

IPC (1件)：

H01L21/316

FI (1件)：

H01L21/316 S

Fターム (5件)：

5F058BA20 , 5F058BB05 , 5F058BF54 , 5F058BF63 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (4件)

ウエハ酸化装置及び半導体素子の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-100952 出願人：古河電気工業株式会社, 小山二三夫, 伊賀健一
半導体発光素子の処理法及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-108905 出願人：同和鉱業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-295073 出願人：沖電気工業株式会社

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