特許

J-GLOBAL ID：200903089073347951

III族窒化物半導体薄膜とその製造方法

発明者： 新村 康
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180060
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007449
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】1μm 以上の厚さであって割れの生じていない、また、貫通転移が少なく半導体装置の特性劣化の起こり難いIII 族窒化物半導体薄膜を得る。【解決手段】半導体基板10上に、またはその上に形成されたAlx GayIn1-x-y N(但し、0≦x、0≦y、x+y≦1)上に形成された酸化ケイ素薄膜からなるマスク21およびマスクの間を被覆するように形成されたIII 族窒化物半導体薄膜において、前記マスクを周期構造(周期P)とし、周期方向においてマスクの被覆部の幅W(マスク幅と名付ける)を50μm 未満とし、かつマスク幅の周期に対する比(W/P)を0.10以上0.75以下とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、またはその上に形成されたAlx Gay In1-x-y N(但し、0≦x、0≦y、x+y≦1)上に形成された酸化ケイ素薄膜からなるマスクおよびマスクの間を被覆するように形成されたIII 族窒化物半導体薄膜において、前記マスクは周期構造であり、周期方向においてマスクの被覆部の幅(マスク幅と名付ける)は50μm 未満であり、かつマスク幅の周期に対する比は0.10以上0.75以下であることを特徴とするIII 族窒化物半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 677 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (29件)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045BB14 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB03 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-311518   出願人：豊田合成株式会社
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• 半導体発光素子及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006679   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-142309   出願人：豊田合成株式会社