III族窒化物半導体及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142309
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331946
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】良質なIII族窒化物半導体膜を得ること。【解決手段】シリコン(Si)基板1の(111)面に、二酸化シリコン(SiO2)から成る第1の層2を、〔110〕方向と垂直な〔1 -10〕方向に長手方向を持つストライプ状に形成する。ここにIII族窒化物(AlxGayIn1-x-yN,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)を積層する。二酸化シリコン(SiO2)から成る第1の層2に覆われていないシリコン(Si)基板1の領域BにIII族窒化物(AlxGayIn1-x-yN,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)はエピタキシャル成長し、二酸化シリコン(SiO2)から成る第1の層2には領域Bから横方向にエピタキシャル成長する。これにより、無転位のIII族窒化物半導体を得ることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)基板と、前記シリコン基板の(111)面上に、シリコンの露出部が散在するように形成され、III族窒化物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第1の層と、前記第1の層で覆われていないシリコンの露出部にエピタキシャル成長させ、前記第1の層の上部では横方向にエピタキシャル成長させることで形成されたIII族窒化物半導体から成る第2の層と、を備えたことを特徴とするIII族窒化物半導体。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

Fターム (29件)：

5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD15 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA67 , 5F045DB01 , 5F045DB04 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-084418
III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-062760 出願人：日本電気株式会社
特開平3-133182

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