特許
J-GLOBAL ID：200903089110776965

デバイスおよびその製造方法

発明者：
荒井 一尚

荒井 一尚 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 末成 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-298317
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109838
出願日： 2005年10月13日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】機械的ダメージが形成されたことによるゲッタリング効果を得ることができながら強度も確保することができ、両者の効果をともに得て強度と高性能が両立するデバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】薄化したウエーハ1の研削加工面である裏面に付与された機械的ダメージを除去し、その裏面にレジスト膜20を介してマスク30を施し、露光してレジスト膜20の露光部分を除去してマスク30の開口31から露出する裏面中央部に、サンドブラストによって改めて機械的ダメージ層4を形成し、楕円状の機械的ダメージ層4の周囲を強度維持領域5とする。この後、ウエーハ1をストリート2に沿って切断、分割して半導体チップ3を得る。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
表面に電子回路が形成されたデバイスにおいて、該デバイスの裏面の一部に機械的ダメージ層が形成されていることを特徴とするデバイス。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/304
FI (3件)：
H01L21/322 M ,  H01L21/78 L ,  H01L21/304 601S
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
  • 特開昭64-037030
  • 特開昭54-148474
  • 特開昭54-087066
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