Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-314912
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085916
出願日： 2003年09月08日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】複雑な薄膜形成工程を行うことなく、Si基板上に高品質な化合物半導体薄膜を簡便に形成できる方法を提供する。【解決手段】300°C〜560°Cの間の任意の温度で、Si基板1上に厚さが5nmであるAlSbよりなるバッファ層2を形成し、該バッファ層2上に化合物半導体であるGaSbの薄膜3を形成することで、SiとGaSbの熱膨張係数の中間の値を持つAlSbよりなるバッファ層2が、形成した結晶の降温時に生じる歪を吸収する役割を果たすと共に、Alの化学結合が強いことにより強固な結晶となるAlSbを薄い膜厚でSi基板上に形成することから、SiとGaSbの格子定数差を緩衝する役割も果たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si基板上にAlGaAsAb系材料等の化合物半導体の薄膜を一層もしくは多層に形成する、Si基板上への化合物半導体薄膜形成方法であって、 Si基板上に、厚さが1ML〜100nmであるAlSbよりなるバッファ層を形成し、該バッファ層上に化合物半導体の薄膜を形成するようにしたことを特徴とするSi基板上への化合物半導体薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/203 , C30B23/08 , C30B29/40

FI (3件)：

H01L21/203 M , C30B23/08 Z , C30B29/40 502H

Fターム (19件)：

4G077AA03 , 4G077BE47 , 4G077BE48 , 4G077DA05 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EF05 , 4G077HA02 , 4G077SA04 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL03 , 5F103LL04 , 5F103LL07 , 5F103LL09 , 5F103NN01

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置、テラヘルツ波発生装置、及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-178562 出願人：浜松ホトニクス株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

Molecular-beam epitaxy of GaSb/AlSb optical device layers on Si(100)

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