半導体装置、テラヘルツ波発生装置、及びそれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178562
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019472
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】低コストで簡便、小型なテラヘルツ波光源を実現可能な半導体装置、テラヘルツ波発生装置、及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】テラヘルツ領域でほとんど吸収がないSi基板30を用い、このSi基板30上に、AlSbバッファ層31を形成し、さらにバッファ層31上に、テラヘルツ波の発生に用いられる半導体結晶層としてInAs層32をエピタキシャル成長する。そして、InAs層32の面3aをパルス励起光L1の入射面とし、Si基板30の面3bをパルス励起光L1によってInAs層32内で発生したテラヘルツ波L2の出射面とする透過型の構成とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

Si基板と、前記Si基板上に形成されたAlSbからなるバッファ層と、前記バッファ層上にエピタキシャル成長されたInAs、InSb、またはその混晶からなる化合物半導体層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01S1/02 , H01L21/20 , H01L21/203

FI (3件)：

H01S1/02 , H01L21/20 , H01L21/203 M

Fターム (10件)：

5F052JA10 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL20 , 5F103RR05 , 5F103RR08

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-056701 出願人：三星電子株式会社
THz電磁波発生制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-048318 出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー
放射源
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-526660 出願人：テラビューリミテッド

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引用文献：

審査官引用 (1件)

超短パルス光によるテラヘルツ電磁波の発生

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