特許
J-GLOBAL ID：200903089118168875
半導体素子および半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205750
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032456
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 n型SiCに対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子および半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 n型SiC基板1上に、1b族と8族のFe列以外とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなる第1の貴金属膜2を形成し、第1の貴金属膜2上に、4a族と5a族と6a族と7a族と8族のFe列とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなる耐熱金属膜3を形成し、耐熱金属膜3上に、1b族と8族のFe列以外とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなる第2の貴金属膜4を形成し、その後、これらを960°Cから1000°Cまでの範囲で加熱する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型SiC基板上に、1b族と8族のFe列以外とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなる第1の貴金属膜を形成する第1工程と、
前記第1の貴金属膜上に、4a族と5a族と6a族と7a族と8族のFe列とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなる耐熱金属膜を形成する第2工程と、
前記耐熱金属膜上に、1b族と8族のFe列以外とのいずれかに属する元素のうち、いずれか1つ又は2つ以上からなる第2の貴金属膜を形成する第3工程と、
前記n型SiC基板、第1の貴金属膜、耐熱金属膜及び第2の貴金属膜を960°Cから1200°Cまでの範囲で加熱する第4工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
4M104AA03
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104CC01
, 4M104DD79
, 4M104DD83
, 4M104FF02
, 4M104FF13
, 4M104GG03
, 4M104GG06
, 4M104GG07
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH15
