半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207737
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054843
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、p型Alx Iny Ga1-x-y Nに設ける電極の剥離を防止する。【解決手段】半導体層1に接するNi層2と、ボンディングメタル層としてのAu層4との間にTi層3を介在させる。

請求項（抜粋）：

半導体層に接するNi層と、ボンディングメタル層としてのAu層との間にTi層を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/28 301 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/28 301 H , H01L 33/00 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

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