特許
J-GLOBAL ID：200903068358961869

半導体装置及びその製造方法

発明者：
副島 ▲玲▼子

副島 ▲玲▼子 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207737
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054843
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、p型Alx Iny Ga1-x-y Nに設ける電極の剥離を防止する。【解決手段】 半導体層1に接するNi層2と、ボンディングメタル層としてのAu層4との間にTi層3を介在させる。
請求項（抜粋）：
半導体層に接するNi層と、ボンディングメタル層としてのAu層との間にTi層を介在させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 33/00 E
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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