特許
J-GLOBAL ID：200903089146191483

物性の解析方法、および、この解析方法を用いた物性解析システム

発明者：
影山 元英

影山 元英 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 大西 正悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-362062
公開番号（公開出願番号）：特開2007-163372
出願日： 2005年12月15日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】簡単に被検査物の物性値を測定することができる物性の解析方法、および、この解析方法を用いた物性解析システムを提供する。【解決手段】物性の解析方法を、被検査物10の漏洩磁束の磁束密度Bを計測する計測ステップ(ステップS1)と、被検査物10の予測される物性値を設定し、この物性値を用いて被検査物10を含む領域の磁場を解析して磁束密度を求める解析ステップ(ステップS2〜S6)と、計測された磁束密度Bと、解析された磁束密度Bとが所定の相対誤差範囲内にあるときは、予測された物性値を被検査物10の物性値とする判定ステップ(ステップS7)とから構成し、この解析方法を、計測装置20と解析装置30から構成される物性解析システム1に実装する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
被検査物の漏洩磁束の磁束密度を計測する計測ステップと、 前記被検査物の予測される物性値を設定し、前記物性値を用いて前記被検査物を含む領域の磁場を解析して磁束密度を求める解析ステップと、 前記計測された磁束密度と、前記解析された磁束密度とが所定の相対誤差範囲内にあるときは、前記予測された物性値を前記被検査物の物性値とする判定ステップとから構成されたことを特徴とする物性の解析方法。
IPC (3件)：
G01N 27/72 ,  G01R 33/12 ,  G01R 27/02
FI (3件)：
G01N27/72 ,  G01R33/12 Z ,  G01R27/02 R
Fターム (24件)：
2G017AD02 ,  2G017AD52 ,  2G017AD54 ,  2G017CA01 ,  2G017CA09 ,  2G028AA02 ,  2G028CG02 ,  2G028JP01 ,  2G053AA00 ,  2G053AB01 ,  2G053AB07 ,  2G053AB22 ,  2G053AB27 ,  2G053BA02 ,  2G053BB03 ,  2G053BB05 ,  2G053BB11 ,  2G053BC02 ,  2G053BC11 ,  2G053CA03 ,  2G053CA05 ,  2G053CA06 ,  2G053CB22 ,  2G053DA01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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