特許
J-GLOBAL ID：200903089180254931

強誘電体PZT被膜の形成方法

発明者：
スティーブン・アール・ギルバート

スティーブン・アール・ギルバート について

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カウシャル・シン

カウシャル・シン について

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サンジーブ・アガーワル

サンジーブ・アガーワル について

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スティーブン・ハンター

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出願人/特許権者：
アジレント・テクノロジーズ・インク

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代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232064
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133310
出願日： 2002年08月08日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 工業規格の化学蒸着生産技法に適合するPZT薄膜の改良式形成方法を提供する。【解決手段】 基板22に強誘電体PZT被膜を形成する方法であって、溶媒内に鉛前駆物質、チタン前駆物質、及び、ジルコニウム前駆物質の混合物を含むプリミックス原材料溶液を用意するステップと、前記原材料溶液を気化させて、前駆物質の蒸気を生じさせるステップと、前記基板22を納めた化学蒸着室12内に前駆物質の蒸気を送り込むステップと、を含む強誘電体PZT被膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
基板に強誘電体Pb(Zr,Ti)O3被膜を形成する方法であって、溶媒内に鉛前駆物質、チタン前駆物質、および、ジルコニウム前駆物質の混合物を含有するプリミックス原材料溶液を用意するステップと、前記原材料溶液を気化させて、前駆物質の蒸気を生じさせるステップと、前記基板を納めた化学蒸着室内に前駆物質の蒸気を送り込むステップと、を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 C
Fターム (10件)：
5F058BA06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (5件)
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