特許
J-GLOBAL ID:200903089249367822

複合電子部品

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-181698
公開番号(公開出願番号):特開2002-373828
出願日: 2001年06月15日
公開日(公表日): 2002年12月26日
要約:
【要約】【課題】 ビットレートをより増大させて高速に大容量のデータを通信できる半導体レーザモジュール用として好適な複合電子部品であり、容量素子とインダクタパターンを具備し、これらの容量精度およびインダクタンス精度が向上し、またインダクタンス値を容易に調整できるものとすること。【解決手段】 比誘電率が20以上の誘電体板1の両主面に第一の薄膜電極2と第二の薄膜電極3を形成して成る容量素子の第一の薄膜電極2の表面に、比誘電率が5以下の樹脂絶縁層4と薄膜から成るインダクタパターン5とが順次積層されて成る。
請求項(抜粋):
比誘電率が20以上の誘電体板の両主面に薄膜電極を形成して成る容量素子の少なくとも一方の前記薄膜電極の表面に、比誘電率が5以下の樹脂絶縁層と薄膜から成るインダクタパターンとが順次積層されて成ることを特徴とする複合電子部品。
IPC (4件):
H01G 4/40 ,  H01F 17/00 ,  H01F 27/00 ,  H01G 4/12 391
FI (4件):
H01F 17/00 B ,  H01G 4/12 391 ,  H01G 4/40 321 A ,  H01F 15/00 D
Fターム (11件):
5E001AB03 ,  5E001AC08 ,  5E001AE00 ,  5E001AH03 ,  5E001AH07 ,  5E070AA05 ,  5E070CB03 ,  5E070CB12 ,  5E082AB01 ,  5E082BB05 ,  5E082DD08
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 特開昭62-132309
  • LC共振子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-160516   出願人:株式会社村田製作所
  • 特開昭56-050505
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