特許
J-GLOBAL ID：200903089299182912

半導体レーザ装置

発明者：
高橋 幸司

高橋 幸司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-117883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308553
出願日： 1997年05月08日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 基本横モードでのレーザ発振を安定して生じさせ、高い光出力まで安定した単一波長でのレーザ発振を生じさせる。【解決手段】 誘導放出光を発生する活性層と、前記誘導放出光が導波されるストライプ状の導波路構造と、前記誘導放出光の導波方向に誘導放出光に対する吸収が周期的に変動する光吸収の分布を有した吸収性回折格子とを備え、前記吸収性回折格子が前記ストライプ状の導波路構造の内部及びその周辺部に配置され、前記誘導放出光が前記吸収の周期的変動により光分布帰還を受けて単一波長でレーザ発振する分布帰還型の半導体レーザ装置であって、前記吸収性回折格子は、吸収損失が前記ストライプ状の導波路構造の中心部からその周辺部に向かって大きくなるように分布された光吸収層を有する。
請求項（抜粋）：
誘導放出光を発生する活性層と、前記誘導放出光が導波されるストライプ状の導波路構造と、前記誘導放出光の導波方向に誘導放出光に対する吸収が周期的に変動する光吸収の分布を有した吸収性回折格子とを備え、前記吸収性回折格子が前記ストライプ状の導波路構造の内部及びその周辺部に配置され、前記誘導放出光が前記吸収の周期的変動により光分布帰還を受けて単一波長でレーザ発振する分布帰還型の半導体レーザ装置であって、前記吸収性回折格子は、吸収損失が前記ストライプ状の導波路構造の中心部からその周辺部に向かって大きくなるように分布された光吸収層を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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