特許
J-GLOBAL ID：200903089312699857

半導体装置およびその作製方法

発明者：
荒尾 達也

荒尾 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130639
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329868
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 TFTの配線の内部応力が強いとピーリングを起こす場合があった。特にゲート電極の内部応力は半導体膜が受ける応力に大きく影響しており、その内部応力によっては、TFTの電気的特性の低下の原因となる場合があった。【解決手段】 本発明は、配線に不純物元素を導入したり、不純物元素の導入と熱処理の両方を行うことで、前記配線を所望の内部応力に制御することを可能とする。特に本発明を、ゲート電極に適用することは極めて有効である。また、所望の領域のみに不純物元素の導入や熱処理を行って、所望の内部応力に制御することも可能とする。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜に不純物元素を導入して、前記導電膜における内部応力を±1GPa以下とする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (11件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78
FI (13件)：
G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 B ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 612 C
Fターム (191件)：
2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA49 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA28 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK27 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX10 ,  5F033XX19 ,  5F033XX34 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB00 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048DA25 ,  5F110AA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL27 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28 ,  5F140AA08 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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