半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-013949
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330892
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】半導体基板に対するドライエッチングの加工精度の悪化を回避する。【解決手段】シリコン基板30の第1の表面30aから所定領域をエッチングして凹部34を形成し当該凹部34の底部に薄肉部35を形成する。凹部34内に、熱的に良導な材料よりなる媒体としての熱硬化型シリコーン樹脂36を充填し反応のための水蒸気を供給しながら100°C、30分の熱硬化処理を行う。その後、シリコン基板30における第2の表面30bから薄肉部35での所定領域をドライエッチングして薄肉部35を貫通する貫通孔39を形成する。ここで、ドライエッチングの際に、凹部34内に配置したシリコーン樹脂36を通して熱が逃げる。そして、シリコーン樹脂36を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成した薄肉部の一方の面に接するように熱的に良導な材料よりなるゲル状またはオイル状媒体を配した状態で、前記薄肉部の他方の面から所定領域をドライエッチングして前記薄肉部を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記媒体を除去する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/302 , C23F 4/00 , G01C 19/56 , G01P 9/04 , H01L 41/08 , H01L 41/22 , H01L 49/00

FI (7件)：

H01L 21/302 Z , C23F 4/00 A , G01C 19/56 , G01P 9/04 , H01L 49/00 Z , H01L 41/08 Z , H01L 41/22 Z

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-150078 出願人：株式会社東芝
半導体圧力センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-005655 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭50-084176

全件表示

前のページに戻る