半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116761
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130175
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】この発明は、ビット線のイコライズ動作もしくはビット線とセンスアンプ回路との間の接続制御を行う際にタイミングの制御が簡単であり、かつ高速動作が可能であり、しかも従来と同様にビット線電位を所定のプリチャージ電位に設定することができあるいはセンスマージンの低下を引き起こすことがない半導体記憶装置を提供することを目的する。【構成】昇圧電圧Vint を定常的に発生する内部昇圧電圧発生回路17と、ビット線BL,/BLと、内部昇圧電圧発生回路17で発生される昇圧電圧Vint を高レベル側の電圧とする制御信号φEQL が供給され、この制御信号φEQL に基づいてビット線BL,/BLを所定電位VBLに充電すると共に両ビット線を同電位に設定するビット線イコライズ回路14とを具備したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

外部印加電源電圧とは異なる昇圧電圧を定常的に発生する内部昇圧電圧発生手段と、第1及び第2のビット線と、上記内部昇圧電圧発生手段で発生される昇圧電圧を一方のレベルとする制御信号が供給され、この制御信号に基づいて上記第1及び第2のビット線を所定電位に充電すると共に両ビット線を同電位に設定するビット線電位設定手段とを具備したことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭57-198592
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212548 出願人：日本電気株式会社
特開平4-163785

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