特許

J-GLOBAL ID：200903089329692201

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 東 清一郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-032515
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237598
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 高いスループットを持つ真空中連続プロセスを提供する。【解決手段】 レーザー結晶化、プラズマ処理、絶縁膜形成の真空中連続プロセスを徐々に温度を下げながらおこなう。

請求項（抜粋）：

基板上の半導体層に光照射をおこない半導体層の結晶化をおこなう第一の工程、該半導体層にプラズマ処理を施す第二の工程、該半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第三の工程を真空中連続でおこなう薄膜トランジスタの製造方法において、前記第一から第三の工程は工程が進むにつれて基板温度を低下させながら処理をおこなうことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 B ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (70件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DA05 ,  5F052DA06 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB05 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052JA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA06 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP31 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子の製造方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-194598   出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
• 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-128790   出願人：株式会社日立製作所
• シリコン酸化物の改質方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-253448   出願人：東京農工大学長