特許
J-GLOBAL ID：200903089407224678

接続孔形成法

発明者：
山本 浩三

山本 浩三 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148658
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312336
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 高アスペクト比で微細な接続孔を簡単に形成する。【解決手段】 基板10の表面に所望の接続孔パターンに対応してレジスト層12A,12Bを形成した後、層12A,12Bを覆ってSOG(スピン・オン・ガラス)等の絶縁膜14を形成する。絶縁膜14を層12A,12Bが露呈するまでエッチバックした後、アッシング等により層12A,12Bを除去する。この結果、層12A,12Bに対応する接続孔が得られる。パターン形成材層としては、レジスト層の代りにSiN又はポリSi層等を用いてもよい。基板10は、基板表面に絶縁膜を介して配線が予め形成されているもの又は形成されていないもののいずれでもよい。
請求項（抜粋）：
基板に所望の接続孔パターンに対応してパターン形成材層を形成する工程と、前記基板に前記パターン形成材層を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を前記パターン形成材層の上部が露呈するまで平面的に除去する工程と、この除去工程の後前記パターン形成材層を除去することにより前記絶縁膜に前記パターン形成材層に対応する接続孔を形成する工程とを含む接続孔形成法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/306 Q
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 多層配線形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-007358   出願人：松下電子工業株式会社
  • 特開昭64-059941
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-280310   出願人：株式会社東芝
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM