特許
J-GLOBAL ID：200903089424689447
めっき装置及びめっき方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
渡邉 勇
, 堀田 信太郎
, 小杉 良二
, 森 友宏
, 廣澤 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-051849
公開番号（公開出願番号）：特開2005-240108
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 めっき液に界面活性剤を加えることなく、基板に形成されたレジスト開口部にめっき液を確実に浸入させて、めっき欠けやめっき抜け等のめっき欠陥のないめっきを行うことができるようにする。【解決手段】 配線が形成された基板表面の所定の位置に、レジストをマスクとしてめっき膜を形成するめっき装置において、基板表面に塗布したレジストにアッシング処理を施すアッシング装置300と、アッシング後の基板表面に親水処理を施すプリウェット部26と、親水処理後の基板表面を処理液に接触させてめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク部28と、アノードを浸漬させためっき液に基板表面を接触させてめっき下地表面にめっき膜を成長させるめっき槽34を有する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
配線が形成された基板表面の所定の位置に、レジストをマスクとしてめっき膜を形成するめっき装置において、
基板表面に塗布したレジストにアッシング処理を施すアッシング装置と、
前記アッシング後の基板表面に親水処理を施すプリウェット部と、
前記親水処理後の基板表面を処理液に接触させてめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク部と、
アノードを浸漬させためっき液に基板表面を接触させてめっき下地表面にめっき膜を成長させるめっき槽を有することを特徴とするめっき装置。
IPC (10件)：
C25D7/12
, C25D5/02
, C25D5/34
, C25D5/48
, C25D5/50
, C25D17/00
, C25D21/12
, C25D21/14
, C25D21/16
, C25D21/18
C25D7/12
, C25D5/02 B
, C25D5/34
, C25D5/48
, C25D5/50
, C25D17/00 K
, C25D21/12 A
, C25D21/12 C
, C25D21/14 B
, C25D21/16 A
, C25D21/18 C
4K024AA10
, 4K024AA11
, 4K024AB06
, 4K024BA11
, 4K024BB11
, 4K024BB12
, 4K024BC01
, 4K024CB01
, 4K024CB04
, 4K024CB21
, 4K024DA03
, 4K024DA05
, 4K024DA06
, 4K024DB02
, 4K024DB09
, 4K024EA06
, 4K024FA05
審査官引用 (6件)
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基板ホルダ及びめっき装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-167370
出願人：株式会社荏原製作所
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特許第3901156号
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-108470
出願人：株式会社日立製作所
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