半導体装置の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-316714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150524
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハ内あるいは半導体ウェハ間の温度の均一性を向上させる半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】ウェハホルダーとヒータとを有する半導体装置の製造装置において、ウェハホルダーは、半導体ウェハを受容する上面と、上面に対向し、ヒータからの熱を受ける下面を有し、ウェハホルダーの上面に平行な面内方向の熱伝導率が、上面に垂直な方向の熱伝導率よりも高い。

請求項（抜粋）：

ウェハホルダーとヒータとを有する半導体装置の製造装置であって、該ウェハホルダーは、半導体ウェハを受容する上面と、該上面に対向し、該ヒータからの熱を受ける下面を有し、該ウェハホルダーの該上面に平行な面内方向の熱伝導率が、該上面に垂直な方向の熱伝導率よりも高い、半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/324 , H01L 21/205 , H01L 21/22 501 , H01L 21/22

FI (4件)：

H01L 21/324 Q , H01L 21/205 , H01L 21/22 501 A , H01L 21/22 501 G

Fターム (6件)：

5F045AB10 , 5F045AD11 , 5F045BB08 , 5F045DP13 , 5F045EM02 , 5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (36件)

特開平1-120812
特開平1-120812
特開平3-214619

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