半導体発光素子およびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109196
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298313
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】発光層で発光し、基板側に進む光も効率良く表面側に反射させて外部発光効率を向上させた高輝度の半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】基板11上に発光層14を有し、該発光層の前記基板と反対側に光を放射する半導体発光素子であって、前記基板が前記発光層で発光する光に対して透明または半透明の材料からなり、該基板の前記発光層とは反対側の面に光反射膜17が設けられたチップがボンディングされている。

請求項（抜粋）：

基板上に発光層を有し、該発光層の前記基板と反対側に光を放射する半導体発光素子であって、前記基板が前記発光層で発光する光に対して透明または半透明の材料からなり、該基板の前記発光層とは反対側の面に光反射膜が設けられたチップがボンディングされてなる半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-313977 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社
発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-263783 出願人：日亜化学工業株式会社

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